電力電子元器件進(jìn)入了第四代—“三高”時(shí)代，既高性能化、高智能化、高集成化。高性能化主要包括高電壓、大容量、低損耗、快速化和高可靠。如IGBT在未來不久電流可達(dá)到2—3KA、電壓達(dá)到4—6KV，在所有的復(fù)合器件中首要的攻克目標(biāo)就是降低損耗。預(yù)計(jì)在不久之后IGB、IPM等器件的導(dǎo)通電壓可降到1V以下，而電力MOSFET、IBGT、MCT等器件的應(yīng)用頻率將達(dá)到千KHz。
       高智能化主要是將電源電路、保護(hù)器、PWM控制電路等都集成在一個(gè)芯片上制成一個(gè)完整的系統(tǒng)智能集成的功率變換器。高集成化主是將驅(qū)動(dòng)器、自動(dòng)保護(hù)器、自診斷功能的IC與電力電子器件集成在一個(gè)模塊中。由于不同的電子元器件、集成電路的封裝或相互連接方式的不同，以及后期寄生數(shù)據(jù)參數(shù)的問題已成為影響電力電子系統(tǒng)性能的關(guān)鍵問題，IPEM為我們提供了一個(gè)可以減少設(shè)計(jì)工作量，提高了系統(tǒng)質(zhì)量、同時(shí)增加了優(yōu)化了可靠性和可維護(hù)性的方法。