為應(yīng)對未來市場需求，6月22日，存儲器廠商南亞科12英寸廠正式動工。資料顯示，南亞科計劃投資新臺幣3000億元建設(shè)一座雙層無塵室12英寸新廠，新廠基地包含“主廠房”、“研發(fā)大樓”及“水資源再生中心”，同時，為應(yīng)對未來對先進(jìn)制程導(dǎo)入的需求，還將興建EUV極紫外光曝光微影設(shè)備獨立廠房。

據(jù)悉，新廠將采用南亞科自主研發(fā)的10納米級制程技術(shù)生產(chǎn)DRAM芯片，并將運用“AI智慧制造”技術(shù)，全面提升制程效率。新廠規(guī)劃分三階段進(jìn)行擴(kuò)建，完成后月產(chǎn)能可達(dá)到4.5萬片晶圓，預(yù)計2025年開始裝機(jī)投片量產(chǎn)。

眾所周知，DRAM是所有電子產(chǎn)品智能化時代的關(guān)鍵零組件之一，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極為重要的一環(huán)，廣泛應(yīng)用在智能手機(jī)、個人電腦、服務(wù)器等各個領(lǐng)域。

近年來，受高通脹、俄烏沖突等因素影響，消費性電子需求疲弱，使得下半年DRAM產(chǎn)業(yè)面臨挑戰(zhàn)，整體DRAM庫存上升。AI、大數(shù)據(jù)、5G等發(fā)展迅速，DRAM市場需求也持續(xù)上升，也推動各大廠商擴(kuò)產(chǎn)步伐。

除了南亞科新廠動工之外，美國存儲器大廠美光在日本廣島縣現(xiàn)有工廠附近新建的新工廠近期也傳來了新的進(jìn)展。

據(jù)日本東京電視臺本月初報道，美光投資8000億日元建設(shè)的新工廠計劃在今年下半年開始生產(chǎn)1β制程的DRAM產(chǎn)品。該工廠計劃于2024年正式開始投入運營，主要生產(chǎn)在數(shù)據(jù)中心廣泛使用的DRAM芯片，日本政府有望提供部分資金支持。

根據(jù)美光此前披露的技術(shù)路線圖，其計劃在2022年底前推出的1β DRAM產(chǎn)品，將可為圖形、HBM3和汽車等領(lǐng)域提供良好的性能，美光還將在1γ DRAM工藝中引入EUV技術(shù)。此外，美光計劃，在今后十年間在全球投資1500億美元